技術(shù)層面，干法刻蝕是目前主流，原子層刻蝕為未來方向刻蝕技術(shù)按工藝分類可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，由于在刻蝕率、微粒損傷等方面具有較大的優(yōu)勢，干法刻蝕是目前主流技術(shù)。按被刻蝕材料特性不同，目前常用的方法可分為離子束刻蝕、等離子體刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕，其中電容性等離子體刻蝕(CCP)和電感性等離子體刻蝕(ICP)兩種刻蝕設(shè)備基本覆蓋目前主要的刻蝕應(yīng)用。不過隨著半導(dǎo)體制程的不斷縮小，受光波長限制，關(guān)鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加，10 納米工藝和7 納米工藝所需刻蝕步驟更是超過100 次。原子層刻蝕能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分，能較好解決等離子刻蝕刻蝕速率差異與下層材料損傷等問題，未來有望發(fā)展為新一代主流刻蝕技術(shù)。

市場層面，刻蝕設(shè)備行業(yè)集中度高，發(fā)展空間廣闊2021 年中國大陸以296 億美元設(shè)備銷售額連續(xù)第二年成為全球半導(dǎo)體設(shè)備最大市場，目前全球半導(dǎo)體設(shè)備市場主要被國外企業(yè)占據(jù)，2021 年全球前十五大半導(dǎo)體設(shè)備廠商排名中僅有ASM Pacific Technology 來自中國香港，排名第14 位。設(shè)備投資額方面，刻蝕設(shè)備在晶圓加工設(shè)備投資中占比22.14%，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中“第一大設(shè)備”。目前全球刻蝕設(shè)備行業(yè)的龍頭企業(yè)仍然為泛林半導(dǎo)體、東京電子和應(yīng)用材料三家，2020 年三家企業(yè)合計市場份額占到了全球刻蝕設(shè)備市場的90%以上，其中泛林半導(dǎo)體獨占44.7%的市場份額。根據(jù)SEMI 的預(yù)測，2022 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到1140 億美元，我們預(yù)計2022 年全球刻蝕設(shè)備規(guī)模將達(dá)到250.8 億美元，國內(nèi)刻蝕設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到75.24 億美元。

未來看點：先進制程不斷突破，國產(chǎn)替代未來可期2014 年9 月成立的大基金一期經(jīng)過5 年投資布局目前已進入回收期，在大基金助力下，國內(nèi)刻蝕設(shè)備企業(yè)已實現(xiàn)部分先進制程突破，涌現(xiàn)出一批技術(shù)領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。大基金二期成立于2019 年10 月22 日，注冊資本為2041.5億元，接力一期進行投資布局，我們預(yù)測，其重點可能傾斜設(shè)備和材料方向，將對包括光刻機、刻蝕機、薄膜設(shè)備、測試設(shè)備等領(lǐng)域企業(yè)提供進一步支持，幫助龍頭企業(yè)鞏固自身市場地位。預(yù)計將會帶動萬億級別社會投資。從下游應(yīng)用來看，目前我國5G 建設(shè)仍處于高速發(fā)展階段，考慮到“雙碳”政策下鋰電、光伏需求長期向好，看好國內(nèi)先進制程閉環(huán)供應(yīng)加速建設(shè)，我們認(rèn)為刻蝕設(shè)備具備較大投資價值。